IBM har presenterat en ny processnod för tillverkning av integrerade halvledarkretsar, som företaget kallar den första processen under en nanometer – närmare bestämt 0,7 nanometer eller 7 ångström.
Processen staplar flera transistorer på varandra i en stegrad layout som gör att det får plats fler transistorer på samma yta, och det är på så vis företaget kommer ned till den angivna storleksnivån. Designen bygger på företagets tidigare ”nanosheet”-teknik, men kallas nu ”nanostack”. IBM anger transistortätheten som ”100 miljarder transistorer på samma yta som en nagel”.
IBM:s utvecklingschef Jay Gambetta säger att den nya processen inte är ett litet steg utan ett stort skutt framåt, som ”pekar mot en framtid där datorer blir betydligt kraftfullare utan någon medföljande ökning av energiåtgången”.
Företaget räknar med att processorer tillverkade med den nya tekniken blir 50 procent snabbare vid samma effekt – eller bibehållen prestanda med 70 procent lägre energiförbrukning – som kretsar tillverkade med företagets nuvarande 2-nanometerprocess. Den kommer även möjliggöra 40 procent tätare SRAM, den typ av extremt snabbt minne som används i processorcache (L1, L2, L3).
IBM hoppas att masstillverkning med den nya processen kommer vara igång om 4–5 år, men har inte gått in på några detaljer om vilka tillverkningspartners företaget kommer arbeta med. Idag har det samarbeten med bland annat japanska Rapidus.